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  界達電位粒徑分析量測原理及最新應用

WEBINAR (1920 × 755 公釐) (1)


 
不論是粒徑還是界達電位都是幫助我們觀察樣品分散效果的重要指標,我們歡迎所有對分散性量測技術有興趣的人參與,我們期待與您分享最新的技術發展與實踐經驗,並一同探討光散射量測技術的未來發展方向。
【場次1】2023/11/09 14:00~15:00

點我報名->>>


 

【半導體製程中的膜厚量測技術和挑戰】


半導體製程中的膜厚 量測技術和挑戰 (1920 × 755 公釐)
 
半導體製程的膜厚度是確保製程品質和性能的關鍵因素之一,而準確測量薄膜的厚度則尤為重要。
在這個研討會中,我們將深入探討先進的膜厚量測技術,並討論在實際製程中面臨的挑戰。採用最佳實踐,並掌握未來的發展趨勢。
【場次1】2023/11/29 14:00~15:00
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Manufacturing Process

製造流程

  • wafer 製作

  • wafer 洗淨

  • Wafer表面氧化

  • 配線圖案

  • wafer 貼合

  • Back Grinding

  • 部件完成

  • A
    wafer 製作
    向量圖智慧型物件
     
  相關事例 相關機種
  in-situ膜厚量測 SF-3
  wafer平坦度量測
  研磨後貼合wafer厚度量測
  研磨液粒徑、界達電位 ELSZ
  wafer表面電位
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