SF-3

分光干涉式WAFER膜厚計SF-3

◎即時檢測WAFER基板於研磨製程中的膜厚(厚度範圍6~1300μm※矽換算)
◎高速μSec等級量測即時檢測
◎WAFER基板於研磨製程中的膜厚
◎玻璃基板於減薄製程中的厚度變化(強酸環境中)
◎Load Port嵌入式專用檢出器
◎能因應不同產業和各種情況膜厚分光器(厚度範圍10~2600μm※SiO2換算)

量測項目

  • 膜厚
產品特色

◦光學式以非接觸・非破壞量測厚度(量測點位大小:min.約20μm)
◦體積小、省空間、設備安裝簡易(123 × 128 × 224mm)
◦採用分光干涉法實現高度檢測再現性(0.01%以下)
◦能以高速量測(最快5kHz)並監控即時研磨厚度
◦能實現長距離Working distance(以50mm)量測、崁入產線更加簡單
◦使用TCP/IP通訊來控制以LAN來與Host連線
◦可對應多層厚度量測
◦在短暫貼合的情況下也能量測各層厚度
 
量測項目
厚度測定(最多5層)

 
裝置構成
SF-3 構成図 ヌキ
半導體製程裝配例

SF-3 使用設置例4種T2


 
型式 SF-3/200 SF-3/300 SF-3/800 SF-3/1300
尺寸 123*128*224mm
矽晶圓量測範圍 6-400um 10-775um 20-1000um 50-1300um
樹酯厚度量測範圍 10-1000um 20-1500um 40-2000um 100-2600um
最小取樣週期 5kHz(200us)
量測再現性 0.01%以下
量測光班 直徑20um以上
測定距離 50, 80, 120, 150, 200mm
光源 半導體光源(雷射class 3B製品)
解析方法 FFT解析
各種Wafer(Silicon、其他化合物wafer)的in-situ膜厚量測

 

分光干涉式Wafer膜厚計可直接架設於研磨機內部,在研磨時即時量測管理晶圓厚度。
 
研磨後貼合wafer厚度量測

減薄後矽晶圓的厚度與黏接材後度量測結果。黏接層的不均會影響到矽晶圓研磨的成果。
 
成膜後wafer面內膜厚分布
 
為了使氧化層充分發揮絕緣膜的功能,需要管理氧化層的厚度。OPTM使用非接觸、非破壞、
高精度量測方法,進行膜厚管理。另外,使用晶圓厚度 & 膜厚線上量測設備也可進行自動化的膜厚量測。
 
切削、研磨中即時監控晶圓厚度


CMP製程於配線形成後,進行晶圓表面平坦化。SF-3提供崁入式CMP裝置內的即時膜厚間空系統。
 
能因應不同產業和各種情況的分光器
以非接觸方式,高速且高精度測量晶圓和樹脂厚度
SF-3汎用App Fig T3 W1280
 
 

 
technical article

技術文章

Application

產業應用

您目前為透過後台登入模式

商品搜尋

偵測到您已關閉Cookie,為提供最佳體驗,建議您使用Cookie瀏覽本網站以便使用本站各項功能

依據歐盟施行的個人資料保護法,我們致力於保護您的個人資料並提供您對個人資料的掌握。 我們已更新並將定期更新我們的隱私權政策,以遵循該個人資料保護法。請您參照我們最新版的 隱私權聲明
本網站使用cookies以提供更好的瀏覽體驗。如需了解更多關於本網站如何使用cookies 請按 這裏