TE series

晶圓厚度&線上膜厚量測設備TE series

◎可根據需求對應2吋到12吋樣品
◎在最適樣品下量測時間一秒即可完成
◎可對應Inline或offline
◎高精度自動對位組件
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SIC、SiO2

量測項目

  • 多層膜解析
  • 光學定數(n:折射率、k:消光係數)
晶圓有什麼用?

在半導體的製程中, 晶圓作為IC製造的起點, 也是承載著所有製程的基礎。
半導體製程的歷史上, 隨著人類在類比世界轉換到數位世界, 晶圓也不斷演進。
從一開始的2吋晶圓到現在的12吋晶圓, 甚至到下一個世代的18吋晶圓都已孕育而生。
另外, 也隨著人類無窮無盡的創造力, 從一開始的矽材料, 根據所需要的應用而發展各式化合物材料作為晶圓的材料 , 晶圓的作用重要性不言可喻。
以比喻來說,晶圓就像是半導體製程萬丈高樓的地基。
 
量測晶圓厚度的目的及重要性

在半導體的製程上, 每一到製程所需要的晶圓厚度各有不同。包括初期的長晶,線切割後的晶圓製造, 反覆曝光顯影的半導體製程, 成品之前的封裝測試。
在每一道製程中, 如果晶圓本身的厚度沒有嚴格的管控, 後面幾十道甚至幾百道的精密製程都會在最後的成品會為烏有, 所以嚴格管理晶圓的厚度是一項最基礎也是最需要基本功的工作。
 
應用產業

攤開所有的半導體產業中, 在晶圓製造上無非是第一道最需要將晶圓厚度嚴格管制的產業。
不論是矽晶圓, 化合物晶圓都需要,之後像因3D IC的堆疊、封裝、 更是需要量測減薄後的晶圓厚度。
 
產品資訊
  • 針對Φ300mmEFEM於予備Lord Port Docking or 獨立Standalone(手動POD上料)
  • 對應Pattern search 功能
  • 對應Notch search功能
  • 客製化產線Foot print
產線用Auto mapping  system
名稱 Standalone型式 In-Situ型式
Stage方式 X-Y Stage X-Y or R-Thita Stage
光學系 量測頭+CCD Camera 同軸顯微+IR Camera
最大對應樣品尺寸 2-12"(依需求評估)
樣品巡邊&Notch
Pattern Alignment
厚度量測範圍 薄膜(1nm-92um by 量測頭) / 基材(5um-1300um by 量測頭)
機台尺寸 可依照客戶現場需求評估

研削後300mm晶圓

TSV堆疊封裝前, 晶背減薄厚度量測
晶圓Φ300mm以下wafer厚度量測 or 薄膜厚度量測
GS-300測定例
 

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