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  界達電位粒徑分析量測原理及最新應用

WEBINAR (1920 × 755 公釐) (1)


 
不論是粒徑還是界達電位都是幫助我們觀察樣品分散效果的重要指標,我們歡迎所有對分散性量測技術有興趣的人參與,我們期待與您分享最新的技術發展與實踐經驗,並一同探討光散射量測技術的未來發展方向。
【場次1】2023/11/09 14:00~15:00

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【半導體製程中的膜厚量測技術和挑戰】


半導體製程中的膜厚 量測技術和挑戰 (1920 × 755 公釐)
 
半導體製程的膜厚度是確保製程品質和性能的關鍵因素之一,而準確測量薄膜的厚度則尤為重要。
在這個研討會中,我們將深入探討先進的膜厚量測技術,並討論在實際製程中面臨的挑戰。採用最佳實踐,並掌握未來的發展趨勢。
【場次1】2023/11/29 14:00~15:00
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TE series

薄膜厚量測設備產線Stand-alone型 TE series

◎可根據需求對應2吋到12吋樣品
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎可對應Inline或Offline
◎高精度自動對位組件
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2

量測項目

  • 多層膜解析
  • 光學常數nk值(n:折射率、k:消光係數)

産品資訊

産品特長
◎可根據需求對應max. 300mm樣品的Standalone量測設備
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎針對300mmEFEM(Equipment Front End Module)於予備Lord Port Docking or 獨立Standalone(手動POD上料)
◎搭載高精度自動對位組件。
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2
◎可對應In Line 或 Off Line
 
系統化構成
本設備配合半導體Wafer CMP製程中,於 Off Line wafer薄膜厚度量測用途。
設備中包含2組Wafer Loadport、EFEM 、In-situ Metrology Module。
設備中的In-situ Metrology Module為透過光學反射原理藉由各薄膜層之光干涉現象,進而建立膜厚模型分析膜厚數值。
  外観説明図 T3 LAST nuki W640
                                 Standalone型式薄膜厚量測設備全体圖  (Model:TE series)

本設備由EFEM robot取放待檢wafer至膜厚量測單元(Metrology Module),設備將自動進行對位量測,並依序完成客戶指定pad薄膜厚度量測動作。
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸完成量測作業的進行,並於量測完成後匯整顯示各點的量測數據資訊。
 
量測原理(In-situ Metrology Module的内容詳細)
量測項目:◎多層膜解析、◎光學常數(n:折射率、k:消光係數)
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸完成量測作業的進行,並於量測完成後匯整顯示各點的量測數據資訊。 
 IMG_5979 SQ C-ANGLE 430x430 IMG_0177_Cfhd SQ W430
        Metrology Module的内容               X-Y-回転自動平台和光學檢測unit

●基本原理&解析手法
 soft H218 Method 3kinds
             反射分光法也稱為光干涉法,搭載光譜儀的反射架構下,由反射率進一步求得光學膜厚

●得到高精度検測 非接觸式顯微膜厚計(Model:OPTM series)
 1 W360H380  2 W655H380
             顯微分光的光學架構                           多點分析法
   所使用的反射物鏡可消 除基板/膜層背面反射影響可         極薄膜光學係數相同、厚度不同的多筆資料可以同時進行解析(專利第5721586號)
 

規格樣式

概 要 
名  稱 Standalone型式薄膜厚量測設備TE series
量測項目 反射光譜非接触薄膜量測
適応產品 200mm Wafer or 300mm Wefer
控制系統規格 主控 PC(Win10 + ART 程式控制介面) ・ 螢幕(22 吋顯示螢幕)
WPH (wefers per hour) 60片/ hour (量測9點、包含Alignment對位)
潔淨度 Class 10
環境震動 震動等級VCA
          1 正面から nuki  last w524H430


EFEM單元 (Equipment Front End Module)
潔淨等級 ISO Class 1
FFU (Fan Filter Unit)  PTFE濾網:HEPA・0.3um@99.9995% ・ 風機全壓:150Pa/機外:15Pa
Pre aligher 1組
Robbot 1組・ θ=360度 ・Z軸:380mm ・ R, θ, Z軸定位精度:0.1mm・Payload:1.0 kg /arm 
Loadport 2 組・放置200mm Wafer POD・具状態指示燈


          2 表面 nuki w430h430 2 裏面T3 h430


MU 單元 (Metrology unit)
量測模組 膜厚量測範囲: 1 nm ~ 35um ・ 光點直徑 : 10um(min. 5um)
Alignment CCD模組 1組
載台模組・滑台模組 Rotation and Lifter stage ・ X-Y Linear stage
FFU(Fan Filter Unit) PTFE濾網:HEPA・0.3um@99.9995% ・ 風機全壓:150Pa/機外:15Pa
          3 検出unit w430h430 nuki 3 検出 LAST w578h430



Utility
電源 1ψ/ AC220V/30A(6.6KW )
氣壓源 5~6Kg/cm2 直徑 8 氣壓管*2
真空源 -84Kpa 直徑 8 真空管*2
機台尺寸・重量 2130(W)x1440(D)x2160(H)mm, 1800 kg     note)不含螢幕架

應用範圍

晶圓有什麼用?


在半導體的製程中, 晶圓作為IC製造的起點, 也是承載著所有製程的基礎。
半導體製程的歷史上, 隨著人類在類比世界轉換到數位世界, 晶圓也不斷演進。
從一開始的2吋晶圓到現在的12吋晶圓, 甚至到下一個世代的18吋晶圓都已孕育而生。
另外, 也隨著人類無窮無盡的創造力, 從一開始的矽材料, 根據所需要的應用而發展各式化合物材料作為晶圓的材料 , 晶圓的作用重要性不言可喻。
以比喻來說,晶圓就像是半導體製程萬丈高樓的地基。
 

量測晶圓厚度的目的及重要性


在半導體的製程上, 每一到製程所需要的晶圓厚度各有不同。包括初期的長晶,線切割後的晶圓製造, 反覆曝光顯影的半導體製程, 成品之前的封裝測試。
在每一道製程中, 如果晶圓本身的厚度沒有嚴格的管控, 後面幾十道甚至幾百道的精密製程都會在最後的成品會為烏有, 所以嚴格管理晶圓的厚度是一項最基礎也是最需要基本功的工作。
 

應用產業


攤開所有的半導體產業中, 在晶圓製造上無非是第一道最需要將晶圓厚度嚴格管制的產業。
不論是矽晶圓, 化合物晶圓都需要,之後像因3D IC的堆疊、封裝、 更是需要量測減薄後的晶圓厚度。
 
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