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TE series
薄膜厚量測設備產線Stand-alone型 TE series
◎可根據需求對應2吋到12吋樣品
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎可對應Inline或Offline
◎高精度自動對位組件
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎可對應Inline或Offline
◎高精度自動對位組件
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2
量測項目
- 多層膜解析
- 光學常數nk值(n:折射率、k:消光係數)
産品資訊
産品特長 |
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎針對300mmEFEM(Equipment Front End Module)於予備Lord Port Docking or 獨立Standalone(手動POD上料)
◎搭載高精度自動對位組件。
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2
◎可對應In Line 或 Off Line
系統化構成 |
設備中包含2組Wafer Loadport、EFEM 、In-situ Metrology Module。
設備中的In-situ Metrology Module為透過光學反射原理藉由各薄膜層之光干涉現象,進而建立膜厚模型分析膜厚數值。

Standalone型式薄膜厚量測設備全体圖 (Model:TE series)
本設備由EFEM robot取放待檢wafer至膜厚量測單元(Metrology Module),設備將自動進行對位量測,並依序完成客戶指定pad薄膜厚度量測動作。
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸完成量測作業的進行,並於量測完成後匯整顯示各點的量測數據資訊。
量測原理(In-situ Metrology Module的内容詳細) |
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸完成量測作業的進行,並於量測完成後匯整顯示各點的量測數據資訊。


Metrology Module的内容 X-Y-回転自動平台和光學檢測unit
●基本原理&解析手法


反射分光法也稱為光干涉法,搭載光譜儀的反射架構下,由反射率進一步求得光學膜厚
●得到高精度検測 非接觸式顯微膜厚計(Model:OPTM series)


顯微分光的光學架構 多點分析法
所使用的反射物鏡可消 除基板/膜層背面反射影響可 極薄膜光學係數相同、厚度不同的多筆資料可以同時進行解析(專利第5721586號)
規格樣式
概 要名 稱 | Standalone型式薄膜厚量測設備TE series |
量測項目 | 反射光譜非接触薄膜量測 |
適応產品 | 200mm Wafer or 300mm Wefer |
控制系統規格 | 主控 PC(Win10 + ART 程式控制介面) ・ 螢幕(22 吋顯示螢幕) |
WPH (wefers per hour) | 60片/ hour (量測9點、包含Alignment對位) |
潔淨度 | Class 10 |
環境震動 | 震動等級VCA |

EFEM單元 (Equipment Front End Module)
潔淨等級 | ISO Class 1 |
FFU (Fan Filter Unit) | PTFE濾網:HEPA・0.3um@99.9995% ・ 風機全壓:150Pa/機外:15Pa |
Pre aligher | 1組 |
Robbot | 1組・ θ=360度 ・Z軸:380mm ・ R, θ, Z軸定位精度:0.1mm・Payload:1.0 kg /arm |
Loadport | 2 組・放置200mm Wafer POD・具状態指示燈 |


MU 單元 (Metrology unit)
量測模組 | 膜厚量測範囲: 1 nm ~ 35um ・ 光點直徑 : 10um(min. 5um) |
Alignment CCD模組 | 1組 |
載台模組・滑台模組 | Rotation and Lifter stage ・ X-Y Linear stage |
FFU(Fan Filter Unit) | PTFE濾網:HEPA・0.3um@99.9995% ・ 風機全壓:150Pa/機外:15Pa |


Utility
電源 | 1ψ/ AC220V/30A(6.6KW ) |
氣壓源 | 5~6Kg/cm2 直徑 8 氣壓管*2 |
真空源 | -84Kpa 直徑 8 真空管*2 |
機台尺寸・重量 | 2130(W)x1440(D)x2160(H)mm, 1800 kg note)不含螢幕架 |
應用範圍
晶圓有什麼用? |
在半導體的製程中, 晶圓作為IC製造的起點, 也是承載著所有製程的基礎。
半導體製程的歷史上, 隨著人類在類比世界轉換到數位世界, 晶圓也不斷演進。
從一開始的2吋晶圓到現在的12吋晶圓, 甚至到下一個世代的18吋晶圓都已孕育而生。
另外, 也隨著人類無窮無盡的創造力, 從一開始的矽材料, 根據所需要的應用而發展各式化合物材料作為晶圓的材料 , 晶圓的作用重要性不言可喻。
以比喻來說,晶圓就像是半導體製程萬丈高樓的地基。
量測晶圓厚度的目的及重要性 |
在半導體的製程上, 每一到製程所需要的晶圓厚度各有不同。包括初期的長晶,線切割後的晶圓製造, 反覆曝光顯影的半導體製程, 成品之前的封裝測試。
在每一道製程中, 如果晶圓本身的厚度沒有嚴格的管控, 後面幾十道甚至幾百道的精密製程都會在最後的成品會為烏有, 所以嚴格管理晶圓的厚度是一項最基礎也是最需要基本功的工作。
應用產業 |
攤開所有的半導體產業中, 在晶圓製造上無非是第一道最需要將晶圓厚度嚴格管制的產業。
不論是矽晶圓, 化合物晶圓都需要,之後像因3D IC的堆疊、封裝、 更是需要量測減薄後的晶圓厚度。
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