TE series

Standalone型晶圓厚度量測&產線上膜厚量測設備TE series

◎可根據需求對應2吋到12吋樣品
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎可對應Inline或Offline
◎高精度自動對位組件
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2

量測項目

  • 多層膜解析
  • 光學常數nk值(n:折射率、k:消光係數)
  • 基板晶圓厚度

晶圓厚度

你知道「晶圓厚度」對於半導體產業的重要性嗎?尤其是在晶圓厚度量測階段,其厚度對整個製程的品質、效能,乃至於最終產品的可靠性都有深遠的影響。且晶圓厚度量測不僅是一個技術參數,也是半導體製造過程中的一個關鍵決策點,其對於晶片的品質、效能、壽命以及成本都有重要的影響性。本文將帶你深入探討,晶圓厚度是如何影響半導體產業的各個面向!
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➣晶圓厚度運作原理技術說明

「半導體」之所以稱之為「半導體」,是因其具有開關的特性,可以使用電氣訊號控制其導通或不導通,並在特定狀態之下能控制導通與不導通中間故稱為「半導體」。
一般來說,以半導體最常使用的MOSFET為例:在閘極上加上電信訊號(一般為電壓),即可讓電流從源極流向汲極。
而這個隨著使用者所控制的開關,在數位傳播的年代即可以當作0(關)或1(開)來使用,將數個開關做排列後,即可達成16位元、32位元或更多的位元,來一次傳輸大量的訊號。
基於此種特性,故在材料上會以四族矽(Si)或是鍺(Ge)為主。
當然,除了最基本的四族以外,半導體為了要滿足許多地方的應用,根據其使用的方式慢慢地有三五族的材料甚至二六族導入。
而為了讓半導體工藝,能在材料上做出最大使用率及製造效率,故採用形狀為圓形做加工基底,自然就產生「晶圓」一詞。
在半導體的製程中, 晶圓作為IC製造的起點, 也是承載著所有製程的基礎。
半導體製程的歷史上, 隨著人類在類比世界轉換到數位世界, 晶圓也不斷演進。
從一開始的2吋晶圓到現在的12吋晶圓, 甚至到下一個世代的18吋晶圓都已孕育而生。
另外, 也隨著人類無窮無盡的創造力, 從一開始的矽材料, 根據所需要的應用而發展各式化合物材料作為晶圓的材料 , 晶圓的作用重要性不言可喻。
以比喻來說,晶圓就像是半導體製程萬丈高樓的地基。
 
 

半導體膜厚、晶圓厚度量測原理(In-situ Metrology Module的内容詳細)

設備中,必須具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸,以完成量測作業的進行。並於量測完成後,匯整顯示各點的量測數據資訊。
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                    Metrology Module的内容                                             X-Y-回転自動平台和光學檢測unit

量測項目:
  • 多層膜解析
  • 光學常數(n:折射率、k:消光係數)
基本原理&解析手法:
  • 「反射分光法」也稱為「光干涉法」,搭載光譜儀的反射架構下,由反射率進一步求得光學膜厚
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👉半導體薄膜高精度檢測:顯微分光膜厚量測儀(Model: OPTM series)

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  • 顯微分光的光學架構:所使用的反射物鏡可消 除基板/膜層背面反射影響可
  • 多點分析法:極薄膜光學係數相同、厚度不同的多筆資料可以同時進行解析(專利第5721586號)

👉非接觸晶圓厚度快速量測:分光干涉式wafer晶圓測厚儀(Model: SF-3 series)

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  • 非接觸、非破壞式高速高精度量測晶圓厚度
  • 即時檢測WAFER基板於研磨製程中的膜厚(厚度範圍6~1300μm※矽換算)
  • 高速μSec等級量測即時檢測
  • WAFER基板於研磨製程中的膜厚

➣晶圓厚度與產業應用有何相關?


在半導體的生產流程上,從一開始的矽晶圓製造,,到接下來的晶圓代工,最後到達封裝測試的階段。
就像蓋房子一樣, 無非是一層一層的堆疊,一層一層的往上增蓋,在製程以飛快的速度向前推進的今日,半導體器件以百萬、千萬,到以百億數量成長,其對膜厚的厚薄要求更是越來越嚴格。
而在反覆的堆疊製程中。其要求的速度跟精度更是有別於以往。是需要利用高精度,非接觸式的方式,協助生產現場的工程師快速判斷產品於製程中發生的問題。以利現場工程師,能快速找到問題並排出後,提供半導體工廠穩定生產必要之要件。
就「晶圓」來說,就像是我們蓋房子的基底,所有的製程材料都在此基底上做堆疊幾十層甚至數百層,故晶圓本身表面粗糙度、平整度、厚度、形狀則是業界大眾所講究的。
在半導體的製程上, 每一到製程所需要的晶圓厚度各有不同。
包括初期的長晶,線切割後的晶圓製造, 反覆曝光顯影的半導體製程, 成品之前的封裝測試。
在每一道製程中, 如果晶圓本身的厚度沒有嚴格的管控, 後面幾十道甚至幾百道的精密製程都會在最後的成品會為烏有, 所以嚴格管理晶圓的厚度是一項最基礎也是最需要基本功的工作。
特別是這幾年,因封裝技術的提升,器件的製造從一般的2D平面往3D來邁進。
因此而拉近各處理單元的距離增加演算速度,故而在3D IC做堆疊的時候,針對矽的基材襯底必須做減薄的動作。
以免在堆疊中過高, 影響到資料處理的效率,故追求晶圓厚度的一致性是相當重要的項目。
不論是矽晶圓, 化合物晶圓都需要,之後像因3D IC的堆疊、封裝、 更是需要量測減薄後的晶圓厚度。

晶圓厚度設備產線製作過程大公開!

晶圓厚度量測
                                                   半導體製程中晶圓厚度量測過程步驟示意圖

在製造晶圓時,製程將晶棒切割成適當的厚度後洗淨後,將表面鍍膜鍍上想要的材質後圖形化,經過測試後將晶圓鍵和在一起形成通路後,再將晶圓研磨到理想的厚度。
並經過切割、封裝、打件等過程,才會從最開始的晶棒變身為半導體組件。
其中又在晶圓製造、表面鍍膜、圖形化、晶圓鍵和、背面研磨等製程,是會需要監控晶圓厚度。
更加詳細完整過程可以參考本站文章:《半導體製程順序大公開!專家用11步驟告訴你,專業技術大解密!》
 

➣晶圓厚度量測設備推薦

 
對應偵測器 顯微分光膜厚量測儀OPTM 分光干涉式wafer晶圓測厚儀SF-3
對應晶圓尺寸 6、8、12吋
量測厚度範圍 晶圓上薄膜1nm-30μm 晶圓基板5μm-1000μm

産品特長

  • 可根據需求對應max. 300mm樣品的Standalone量測設備
  • 在最適樣品下量測時間1秒即可完成
  • 針對300mmEFEM(Equipment Front End Module)於予備Lord Port Docking or 獨立Standalone(手動POD上料)
  • 搭載高精度自動對位組件
  • 各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2
  • 可對應In Line 或 Off Line

系統化構成

  • 本設備配合半導體Wafer CMP製程中,於 Off Line wafer薄膜厚度量測用途
  • 設備中包含2組Wafer Loadport、EFEM 、In-situ Metrology Module
  • 設備中的In-situ Metrology Module為透過光學反射原理藉由各薄膜層之光干涉現象,進而建立膜厚模型分析膜厚數值
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                                          Standalone型式薄膜厚量測設備全体圖  (Model:TE series)
 
本設備是由EFEM robot取放待檢wafer至膜厚量測單元(Metrology Module),將自動進行對位量測,並依序完成客戶指定pad薄膜厚度量測動作。
該設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸,以完成量測作業的進行。並於量測完成後,匯整顯示各點的量測數據資訊。
如果你對於晶圓厚度量測有興趣的話,也可以直接拿起電話洽詢,讓大塚科技的業務為你說明白講清楚!
📞台北辦公室:02-25153066
📞台南辦公室:06-2151970

産品資訊

産品特長
◎可根據需求對應max. 300mm樣品的Standalone量測設備
◎在最適樣品下量測時間1秒即可完成
◎針對300mmEFEM(Equipment Front End Module)於予備Lord Port Docking or 獨立Standalone(手動POD上料)
◎搭載高精度自動對位組件。
◎各種非金屬化合物半導體材料厚度量測 例:GaAs、SiC、SiO2
◎可對應In Line 或 Off Line
 
系統化構成
本設備配合半導體Wafer CMP製程中,於 Off Line wafer薄膜厚度量測用途。
設備中包含2組Wafer Loadport、EFEM 、In-situ Metrology Module。
設備中的In-situ Metrology Module為透過光學反射原理藉由各薄膜層之光干涉現象,進而建立膜厚模型分析膜厚數值。
  外観説明図 T3 LAST nuki W640
                                 Standalone型式薄膜厚量測設備全体圖  (Model:TE series)

本設備由EFEM robot取放待檢wafer至膜厚量測單元(Metrology Module),設備將自動進行對位量測,並依序完成客戶指定pad薄膜厚度量測動作。
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸完成量測作業的進行,並於量測完成後匯整顯示各點的量測數據資訊。
 
量測原理(In-situ Metrology Module的内容詳細)
量測項目:◎多層膜解析、◎光學常數(n:折射率、k:消光係數)
設備中具備高解析光學檢測系統及高精度X-Y運動軸完成量測作業的進行,並於量測完成後匯整顯示各點的量測數據資訊。 
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        Metrology Module的内容               X-Y-回転自動平台和光學檢測unit

●基本原理&解析手法
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             反射分光法也稱為光干涉法,搭載光譜儀的反射架構下,由反射率進一步求得光學膜厚

●得到高精度検測 非接觸式顯微膜厚計(Model:OPTM series)
 1 W360H380  2 W655H380
             顯微分光的光學架構                           多點分析法
   所使用的反射物鏡可消 除基板/膜層背面反射影響可         極薄膜光學係數相同、厚度不同的多筆資料可以同時進行解析(專利第5721586號)
 

規格樣式

概 要 
名  稱 Standalone型式薄膜厚量測設備TE series
量測項目 反射光譜非接觸薄膜量測設備
對應尺寸 200mm Wafer or 300mm Wefer
控制系統規格 主控 PC(Win10 + ART 程式控制介面) ・ 螢幕(22 吋顯示螢幕)
WPH (wefers per hour) 60片/ hour (量測9點、包含Alignment對位)
潔淨度 Class 10
環境震動 震動等級VCA
          1 正面から nuki  last w524H430


EFEM單元 (Equipment Front End Module)
潔淨等級 ISO Class 1
FFU (Fan Filter Unit)  PTFE濾網:HEPA・0.3um@99.9995% ・ 風機全壓:150Pa/機外:15Pa
Pre aligher 1組
Robbot 1組・ θ=360度 ・Z軸:380mm ・ R, θ, Z軸定位精度:0.1mm・Payload:1.0 kg /arm 
Loadport 2 組・放置200mm Wafer POD・具狀態指示燈


          2 表面 nuki w430h430 2 裏面T3 h430


MU 單元 (Metrology unit)
量測模組 膜厚量測範囲: 1 nm ~ 35um ・ 光點直徑 : 10um(min. 5um)
Alignment CCD模組 1組
載台模組・滑台模組 Rotation and Lifter stage ・ X-Y Linear stage
FFU(Fan Filter Unit) PTFE濾網:HEPA・0.3um@99.9995% ・ 風機全壓:150Pa/機外:15Pa
          3 検出unit w430h430 nuki 3 検出 LAST w578h430



Utility
電源 1ψ/ AC220V/30A(6.6KW )
氣壓源 5~6Kg/cm2 直徑 8 氣壓管*2
真空源 -84Kpa 直徑 8 真空管*2
機台尺寸・重量 2130(W)x1440(D)x2160(H)mm, 1800 kg     note)不含螢幕架
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