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  界達電位粒徑分析量測原理及最新應用

WEBINAR (1920 × 755 公釐) (1)


 
不論是粒徑還是界達電位都是幫助我們觀察樣品分散效果的重要指標,我們歡迎所有對分散性量測技術有興趣的人參與,我們期待與您分享最新的技術發展與實踐經驗,並一同探討光散射量測技術的未來發展方向。
【場次1】2023/11/09 14:00~15:00

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【半導體製程中的膜厚量測技術和挑戰】


半導體製程中的膜厚 量測技術和挑戰 (1920 × 755 公釐)
 
半導體製程的膜厚度是確保製程品質和性能的關鍵因素之一,而準確測量薄膜的厚度則尤為重要。
在這個研討會中,我們將深入探討先進的膜厚量測技術,並討論在實際製程中面臨的挑戰。採用最佳實踐,並掌握未來的發展趨勢。
【場次1】2023/11/29 14:00~15:00
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FE-300

膜厚量測儀FE-300

◎薄膜到厚膜的量測範圍、UV~NIR光譜分析
◎高性能的低價光學薄膜量測儀
◎藉由絕對反射率光譜分析膜厚
◎無複雜設定,操作簡單,短時間內即可上手
◎線性最小平方法解析光學常數(n:折射率、k:消光係數)

量測項目

  • 多層膜解析
  • 光學常數nk值(n:折射率、k:消光係數)

產品資訊

特色
從薄膜到厚膜高範圍的膜厚量測
使用反射光譜作為膜厚解析
一體型・低價格以非接触・非破壊的方式實現高精度量測
簡單的條件設定與測定操作!簡單上手的膜厚測定方式
波峰波谷法、傅立葉轉換FFT解析法、非線形最小二乗法(Fitting)、最適化法等多種類膜厚量測分析
非線形最小二乗法(Fitting)膜厚解析演算、光学定数解析(n:曲折率、k:消光係數)代入
 
量測項目
絶対反射率測定
膜厚解析(10層)
光学參數解析(n:曲折率、k:消光係數)
 
量測對象
機能性Film材、塑膠可透光製品
透明導電膜(ITO、銀Nanowire)、位相差Film材、偏光Film材、AR Film材、PET、PEN、TAC、PP、PC、PE、PVA、接着剤、粘着剤、保護Film材、HardCoat、耐指紋剤等
半導体
化合物半導体、Si、氧化膜、氮化膜、Resist、SiC、GaAs、GaN、InP、InGaAs、 SOI、Sapphire等
表面處理
DLC coat、防鏽劑、防霧劑等
光学材料
Filter、AR coat等
FPD
LCD(CF、ITO、LC、PI)、OLED(有機膜、封止劑)等
其他
HDD、磁気Tape、建材等

量測原理

反射分光法

光干涉法搭配高速、高精度的自家光譜儀技術,提供非接觸、不破壞樣品的膜厚量測方案。在(圖2)的光學系統中,光譜儀解析量測光源照射在樣品後所得到的反射率,同時進行光學膜厚演算。在(圖1)中,以金屬基板上的膜層為量測對象,光源照射在膜層表面後被反射為 (R1)。光源透過膜層入射在金屬基板與膜層介面間的反射為 (R2)。R1與R2間因光程一長一短的延遲現象而産生相位差,而藉由解析此相位差所得到的反射光譜與屈折率,進而演算膜厚,即稱之為光干涉法。解析手法共有波峰-波谷法 (P-V),快速傅立葉轉換法 (FFT),非線性最小平方法 (Curve Fitting),最適化法 (Optimiztion) 等四種。

規格樣式

型式 薄膜型 標準型
測定波長範圍 300-800nm 450-780nm
測定膜厚範圍
(SiO2換算)
3nm-35um 10nm-35um
量測光斑直徑 φ3mm  / φ1.2mm
對應樣品尺寸 φ200×5(H)mm
測定時間 0.1~10s以内
電源 AC100V±10% 300VA
尺寸&重量 280(W)×570(D)×350(H)mm、24kg
其他 標準反射片、Receipe編輯服務

裝置構成

晶圓和透明基板能對應2種類光學系

 
對話視窗方式可簡單的量測解析膜厚

FE-analyseFE-meas


 
technical article

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