GS-300 series

晶圓厚度&線上膜厚量測設備GS-300 series

・簡單針對研磨機等量産製程進行整合。減少wafer汚染
・可對應半導体生產工程的高throughput的要求
・可針對wafer表面的pattern作對位alignment
・對應Notch aligment功能
・研磨後wafer厚度測定、可針對鍍膜後的wafer做面內膜厚管理
・二次工程研磨於chipping為防止破片的最佳對策。
・針對高端產品於wafer厚度的品質能有效提升。

量測項目

  • 多層膜解析
  • 光學常數nk值(n:折射率、k:消光係數)

産品資訊

晶圓厚度&線上膜厚量測設備產品特長

無須搬送one through、降低Wafer的汚染與高效率的Wafer量測提案
■GS-300為可針對Φ300mmEFEM裝置的預備port進行In-situ Metrology Unit的整合。
 ・簡單針對研磨機等量産製程進行整合。減少wafer汚染
 ・可對應半導体生產工程的高throughput的要求
 ・可針對wafer表面的pattern作對位alignment
 ・對應Notch aligment功能
 ・500x500mm小footprint
 ・用R-θ載物台移動方式來測繪測量資料。研磨後wafer厚度測定、可針對鍍膜後的wafer做面內膜厚管理
■GS-300、能有效生成研磨前後差異Mapping資料等、尤其在2次研磨中必要的資料作成
 ・能量測WAFER EDGE附近膜厚 ⇒可最適化定義WAFER有効區
                  在次工程研磨於chipping為防止破片的最佳對策
 ・化合物WAFER、貼合的評價  ⇒針對高端產品於wafer厚度的品質能有效提升
 

晶圓厚度&線上膜厚量測設備系統化構成

針對EFEM裝置預備port整合GS-300
 GS300 1

One through研磨處理
 
GS300 2
        研磨           研磨結束・排出        GS-300的stage搬入        厚度量測開始         高速測定中表示

測定顯示例(研磨後WAFER厚度評価)
 
GS300 3
 
GS-300内部構造與流程
GS-300的処理(節省從製造設備到検査設備的搬送時間・以One through的構造降低WAFER的汚染.
 (1)針對製造装置内如研磨等工程後的WAFER、為了以MAPPING的方式確認於同装置内的平坦度等而導入GS-300。
 (2)將WAFER設置於GS-300内的R-θstage上。以6萬點約1分(最快的情況下)MAPPING量測。
 (3)測定終了後、生成次工程必要資料型式後將WAFER從GS-300排出。
 GS300 4
 晶圓搬送進片方向可自由設置選擇(如有prealignment功能)、量産製程中容易整合(500 X 500mmのfootprint)
 

厚膜・粗糙面厚度量測原理與高速量測

分光干涉式厚度量測原理
將光照射於測定対象(基板)上後、會引起表面反射光與裏面反射光的交互干涉(多重反射)。
當光的位相一致時強度變強、不一致時變弱。觀測光譜因伴隨的波長的變化,反射強度而変化的干渉型式。
分光干渉法為解析這光譜進而求得厚度的手法。
 GS300 5 光干渉原理

膜厚解析(周波数解析法)
GS-300使用的膜厚解析為周波数解析法、以弊社考慮獨自屈折率n的波長分散性的解析技術、
於厚膜領域也能高精度解析出與實際值相當接近之膜厚。(已取得專利 第4834847号)
 GS300 8
             反射光譜→周波数解析法→並求出厚度的方法

對應高速量測
導入以一量測點約20um, 最快1msec.高性能感應器"SF-3"來針對移動的樣品, 以6萬點約1分(最快的情況下)MAPPING量測。
 GS300 6
 

針對需求選擇檢出器Line up

此菜、針對薄膜與厚膜的需求選定檢出器的Line up
 GS300 7

 

規格樣式

 
晶圓厚度&線上膜厚量測設備GS-300 series
樣本尺寸 最大300mm
載物台方式 R - θ自動載物台
修正晶圓角度・圖形校準
晶圓厚度範囲 基材(6um - 1300um)
尺  寸 W500×D500×H1680mm
 ※開關等突起部除外 ※H包括腳輪尺寸 ※H可用調節器調整高度
重  量 約120Kg  ※端頭部除外
電  容 AC200V±10% 4KVA
 2) GS TOWER DETALE w960

量測範例

測繪測量資料例(研磨後晶圓Si 層的厚度)
300mm晶圓Si層的分布(約771μm)
GS-300測定例
 
測繪測量資料例(量測樹脂層厚度)
樹脂厚度不均有可能會使研磨的晶圓厚度不均
 GS DATA1
測量結果(黏合層的厚度分布 約6μm、研磨後Si晶圓層的厚度分布 約10μm)
 GS DATA2



 

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