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  界達電位粒徑分析量測原理及最新應用

WEBINAR (1920 × 755 公釐) (1)


 
不論是粒徑還是界達電位都是幫助我們觀察樣品分散效果的重要指標,我們歡迎所有對分散性量測技術有興趣的人參與,我們期待與您分享最新的技術發展與實踐經驗,並一同探討光散射量測技術的未來發展方向。
【場次1】2023/11/09 14:00~15:00

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【半導體製程中的膜厚量測技術和挑戰】


半導體製程中的膜厚 量測技術和挑戰 (1920 × 755 公釐)
 
半導體製程的膜厚度是確保製程品質和性能的關鍵因素之一,而準確測量薄膜的厚度則尤為重要。
在這個研討會中,我們將深入探討先進的膜厚量測技術,並討論在實際製程中面臨的挑戰。採用最佳實踐,並掌握未來的發展趨勢。
【場次1】2023/11/29 14:00~15:00
點我報名->>>
GS-300 series

晶圓厚度&線上膜厚量測設備GS-300 series

・簡單針對研磨機等量産製程進行整合。減少wafer汚染
・可對應半導体生產工程的高throughput的要求
・可針對wafer表面的pattern作對位alignment
・對應Notch aligment功能
・研磨後wafer厚度測定、可針對鍍膜後的wafer做面內膜厚管理
・二次工程研磨於chipping為防止破片的最佳對策。
・針對高端產品於wafer厚度的品質能有效提升。

量測項目

  • 多層膜解析
  • 光學常數nk值(n:折射率、k:消光係數)

産品資訊

晶圓厚度&線上膜厚量測設備產品特長

無須搬送one through、降低Wafer的汚染與高效率的Wafer量測提案
■GS-300為可針對Φ300mmEFEM裝置的預備port進行In-situ Metrology Unit的整合。
 ・簡單針對研磨機等量産製程進行整合。減少wafer汚染
 ・可對應半導体生產工程的高throughput的要求
 ・可針對wafer表面的pattern作對位alignment
 ・對應Notch aligment功能
 ・500x500mm小footprint
 ・用R-θ載物台移動方式來測繪測量資料。研磨後wafer厚度測定、可針對鍍膜後的wafer做面內膜厚管理
■GS-300、能有效生成研磨前後差異Mapping資料等、尤其在2次研磨中必要的資料作成
 ・能量測WAFER EDGE附近膜厚 ⇒可最適化定義WAFER有効區
                  在次工程研磨於chipping為防止破片的最佳對策
 ・化合物WAFER、貼合的評價  ⇒針對高端產品於wafer厚度的品質能有效提升
 

晶圓厚度&線上膜厚量測設備系統化構成

針對EFEM裝置預備port整合GS-300
 GS300 1

One through研磨處理
 
GS300 2
        研磨           研磨結束・排出        GS-300的stage搬入        厚度量測開始         高速測定中表示

測定顯示例(研磨後WAFER厚度評価)
 
GS300 3
 
GS-300内部構造與流程
GS-300的処理(節省從製造設備到検査設備的搬送時間・以One through的構造降低WAFER的汚染.
 (1)針對製造装置内如研磨等工程後的WAFER、為了以MAPPING的方式確認於同装置内的平坦度等而導入GS-300。
 (2)將WAFER設置於GS-300内的R-θstage上。以6萬點約1分(最快的情況下)MAPPING量測。
 (3)測定終了後、生成次工程必要資料型式後將WAFER從GS-300排出。
 GS300 4
 晶圓搬送進片方向可自由設置選擇(如有prealignment功能)、量産製程中容易整合(500 X 500mmのfootprint)
 

厚膜・粗糙面厚度量測原理與高速量測

分光干涉式厚度量測原理
將光照射於測定対象(基板)上後、會引起表面反射光與裏面反射光的交互干涉(多重反射)。
當光的位相一致時強度變強、不一致時變弱。觀測光譜因伴隨的波長的變化,反射強度而変化的干渉型式。
分光干渉法為解析這光譜進而求得厚度的手法。
 GS300 5 光干渉原理

膜厚解析(周波数解析法)
GS-300使用的膜厚解析為周波数解析法、以弊社考慮獨自屈折率n的波長分散性的解析技術、
於厚膜領域也能高精度解析出與實際值相當接近之膜厚。(已取得專利 第4834847号)
 GS300 8
             反射光譜→周波数解析法→並求出厚度的方法

對應高速量測
導入以一量測點約20um, 最快1msec.高性能感應器"SF-3"來針對移動的樣品, 以6萬點約1分(最快的情況下)MAPPING量測。
 GS300 6
 

針對需求選擇檢出器Line up

此菜、針對薄膜與厚膜的需求選定檢出器的Line up
 GS300 7

 

規格樣式

 
晶圓厚度&線上膜厚量測設備GS-300 series
樣本尺寸 最大300mm
載物台方式 R - θ自動載物台
修正晶圓角度・圖形校準
晶圓厚度範囲 基材(6um - 1300um)
尺  寸 W500×D500×H1680mm
 ※開關等突起部除外 ※H包括腳輪尺寸 ※H可用調節器調整高度
重  量 約120Kg  ※端頭部除外
電  容 AC200V±10% 4KVA
 2) GS TOWER DETALE w960

量測範例

測繪測量資料例(研磨後晶圓Si 層的厚度)
300mm晶圓Si層的分布(約771μm)
GS-300測定例
 
測繪測量資料例(量測樹脂層厚度)
樹脂厚度不均有可能會使研磨的晶圓厚度不均
 GS DATA1
測量結果(黏合層的厚度分布 約6μm、研磨後Si晶圓層的厚度分布 約10μm)
 GS DATA2



 

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