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10Jan.2022
膜厚儀
【光學膜厚量測】多層結構矽晶圓減薄研磨膜厚量測
構矽晶圓減薄研磨膜厚量測
當晶圓進行研磨或蝕刻減薄厚度時，進行即時厚度監控；可於線上確認研磨厚度達到目標值，並停止製程，不須待停止後出片確認，提高製程效率。
目的：Si wafer總厚、研磨前後厚度變化
目標構成：Sapphire 700 μm/Wax 20 μm /Si 700 μm其中Sapphire及Wax層不變，僅研磨背面的Si層由700μm到200 μm
解決方案：以兩台光學晶圓厚度量測SF-3，上下同時量測總厚
因樣品中間夾RDL金屬層，故無法直接穿透量測；
以上下兩sensor可同時量到總厚及各層厚度
第二台SF-3(樣品背面)，量測Si wafer厚度，研磨前700μm、研磨後200μm
經測試結果得知，樣品總厚符合客人預期外，還可同時測得各層材料厚度
提供快速且精準的解決方案
當晶圓進行研磨或蝕刻減薄厚度時，進行即時厚度監控；可於線上確認研磨厚度達到目標值，並停止製程，不須待停止後出片確認，提高製程效率。
目的：Si wafer總厚、研磨前後厚度變化
目標構成：Sapphire 700 μm/Wax 20 μm /Si 700 μm其中Sapphire及Wax層不變，僅研磨背面的Si層由700μm到200 μm
解決方案：以兩台光學晶圓厚度量測SF-3，上下同時量測總厚
量測方式：
因樣品中間夾RDL金屬層，故無法直接穿透量測；
以上下兩sensor可同時量到總厚及各層厚度
膜厚量測：
第一台SF-3(樣品正面)，量測sapphire及Wax厚度 第二台SF-3(樣品背面)，量測Si wafer厚度，研磨前700μm、研磨後200μm
| Sapphire | Wax | Si | 總厚 | |
| 研磨前 | 701.39 | 22.35 | 693.82 | 1417.56 |
| 研磨後 | 701.23 | 22.36 | 205.75 | 929.34 |
提供快速且精準的解決方案
結論：以SF-3光干涉式膜厚計可同時量測Si wafer多層膜之個別及總厚度
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