線上免費研討會

【掌握前沿光學膜厚量測技術 : 認識光干涉的原理與應用】

膜厚研討會
 
我們將介紹最新的光學膜厚量測技術,包括光干涉的原理與應用。在本次研討會中我們為您簡介如何使用光學量測儀器量測薄膜的厚度,精確掌握產品的品質控制與生產效率。我們將與您分享最佳的實踐方法與技巧。
【場次1】2023/06/28 15:00~16:00
【場次2】2023/07/05 14:00~15:00

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【固體表面電位解密:板狀、薄膜狀樣品表面電位量測方法與範例介紹】

固體表面電位研討會 (1)

 
固體表面電位是大塚電子ELSZ特色的量測項目,主要使用電氣泳動法配合電滲流解析做量測。
其不僅可以解析固體本身的電位,也可以進一步置換液相容液觀察固體與液體相間的交互作用。
利用電荷的吸引或斥力,可以延伸出許多研究方向。
【場次1】2023/08/17 14:00~15:00

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10Jan.2022
膜厚儀

【光學膜厚量測】多層結構矽晶圓減薄研磨膜厚量測

構矽晶圓減薄研磨膜厚量測
當晶圓進行研磨或蝕刻減薄厚度時,進行即時厚度監控;可於線上確認研磨厚度達到目標值,並停止製程,不須待停止後出片確認,提高製程效率。

目的:Si wafer總厚、研磨前後厚度變化
目標構成:Sapphire 700 μm/Wax 20 μm /Si 700 μm其中Sapphire及Wax層不變,僅研磨背面的Si層由700μm到200 μm
解決方案:以兩台光學晶圓厚度量測SF-3,上下同時量測總厚
 
量測方式:   
                p1

因樣品中間夾RDL金屬層,故無法直接穿透量測;
以上下兩sensor可同時量到總厚及各層厚度
 
膜厚量測:
第一台SF-3(樣品正面),量測sapphire及Wax厚度

p2   p3

   
第二台SF-3(樣品背面),量測Si wafer厚度,研磨前700μm、研磨後200μm

p4   p5


 p6


     p7

    
 
  Sapphire Wax Si 總厚
研磨前 701.39 22.35 693.82 1417.56
研磨後 701.23 22.36 205.75 929.34
經測試結果得知,樣品總厚符合客人預期外,還可同時測得各層材料厚度
提供快速且精準的解決方案


結論:以SF-3光干涉式膜厚計可同時量測Si wafer多層膜之個別及總厚度

                     SF-3切抜き合成 SQ W430

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