10Jan.2022
膜厚儀

【光學膜厚量測】多層結構矽晶圓減薄研磨膜厚量測

構矽晶圓減薄研磨膜厚量測
當晶圓進行研磨或蝕刻減薄厚度時,進行即時厚度監控;可於線上確認研磨厚度達到目標值,並停止製程,不須待停止後出片確認,提高製程效率。

目的:Si wafer總厚、研磨前後厚度變化
目標構成:Sapphire 700 μm/Wax 20 μm /Si 700 μm其中Sapphire及Wax層不變,僅研磨背面的Si層由700μm到200 μm
解決方案:以兩台光學晶圓厚度量測SF-3,上下同時量測總厚
 
量測方式:   
                p1

因樣品中間夾RDL金屬層,故無法直接穿透量測;
以上下兩sensor可同時量到總厚及各層厚度
 
膜厚量測:
第一台SF-3(樣品正面),量測sapphire及Wax厚度

p2   p3

   
第二台SF-3(樣品背面),量測Si wafer厚度,研磨前700μm、研磨後200μm

p4   p5


 p6


     p7

    
 
  Sapphire Wax Si 總厚
研磨前 701.39 22.35 693.82 1417.56
研磨後 701.23 22.36 205.75 929.34
經測試結果得知,樣品總厚符合客人預期外,還可同時測得各層材料厚度
提供快速且精準的解決方案


結論:以SF-3光干涉式膜厚計可同時量測Si wafer多層膜之個別及總厚度

                     SF-3切抜き合成 SQ W430







 

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