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【從奈米到微米:粒徑與形態分析的前沿技術與未來趨勢】


2025量測技術研討會_banner

 
本研討會主題為從奈米到微米:粒徑與形態分析的前沿技術與未來趨勢。聚焦於粒徑與形態分析技術的最新進展,涵蓋光散射、3D顯微、晶片電位與流體粒子影像分析等領域。透過業界專家的專題演講,探討從奈米尺度到微米尺度之量測應用,並解析未來技術發展趨勢,協助與會者掌握在材料、生醫與半導體等領域中的關鍵分析能力。
【時間】台南場 2025/06/17 PM13:30~
【時間】新竹場 2025/06/18 PM13:30~
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LineScan

LineScan wafer檢測系統

該裝置可在半導體研發和生產現場對晶圓基板上的薄膜整個表面進行測量。
透過獨有的光譜干涉法與新開發的高精度膜厚計算處理技術結合,可以快速測量12吋晶圓的面內分佈。

量測項目

  • 膜厚

產品資訊

Line scan量測原理

◎採用Line Scan方式,實現無"遺漏"的全面wafer檢查

採用單軸掃描進行全表面測量
wafer全面檢查

 

◎一瞬間Wafer全面檢查

wafer瞬間全檢

 LineScan方式的膜厚計,採用獨自開發的光干涉法的組合高速、高精度膜厚演算技術,實現最短0.01秒間隔。

◎量測精度NIST安心朔源保證

Linescanwfer量測精度

 

LineScan量測實際案例

 

◎CMP拋光圖案清晰可見

 可視化單點測量無法看到的微小不規則現象
Linescan CMP

◎面內不平整度控管

Linescan面內平整控管

◎2層同時解析

可量測複數的膜層
Linescan多層量測 (1)
 

規格樣式

LineScan wafer檢測系統
膜厚範圍 0.1um~300um
對應wafer尺寸 ~12inch
量測間隔 10ms~
解析層數 對應多層解析(同時解析為2層)
重複性(3σ) 0.5nm以下
(1000nm樣品10次連續量測)
膜厚精度 1000.8±3.1nm 合格
(NIST可追二次標準片)

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technical article

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